一、主体不同
1、场效应：V型槽MOS场效应管。是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。
2、MOS管：金属-氧化物-半导体型场效应管属于绝缘栅型。
二、特性不同
1、场效应：不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右0.1μA左右），还具有耐压高（**可耐压1200V）、工作电流大（1.*～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。
2、MOS管：主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（**可达1015Ω）。
总结：
1. 场效应管（FET）分为MOS场效应管（MOSFET）和结型场效应管（JFET）。现在主要使用MOS场效应管，即通常所称的MOS管。
2. MOS是金属（Metal）-氧化物（Oxide）-半导体（Semiconductor）的简称，即栅-二氧化硅-硅。JFET中的J代表Junction，即“结”，表示PN结的结。FET代表Field Effect Transistor，即场效应管。
